問(wèn)答題什么是離子注入的溝道效應(yīng)？消除溝道效應(yīng)的途徑有哪些？
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1.問(wèn)答題請(qǐng)闡述擴(kuò)散的局限性。
2.問(wèn)答題實(shí)際氧化工藝為什么要采用先干氧、再濕氧、最后再干氧的氧化方法？
3.問(wèn)答題為什么氧化層厚度越厚，熱氧化生長(zhǎng)的速率越慢？
4.問(wèn)答題Si片定位邊或定位槽的作用是什么？
最新試題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
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進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
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碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
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CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題