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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述源材料擴(kuò)散穿過(guò)邊界表面時(shí)的兩種表面吸附
答案：
化學(xué)吸附：襯底表面的原子與吸附的源材料的分子內(nèi)的原子形成化學(xué)鍵；
物理吸附：吸附在源材料的表面
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述CVD工藝的的工藝流程
答案：
（1）氣體或氣相源材料進(jìn)入反應(yīng)器
（2）源材料擴(kuò)散穿過(guò)邊界層并接觸襯底
（3）源材料吸附在襯底表面<...
（2）源材料擴(kuò)散穿過(guò)邊界層并接觸襯底
（3）源材料吸附在襯底表面<...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】熱生長(zhǎng)氧化物和CVD氧化物的本質(zhì)區(qū)別是什么？
答案：
生長(zhǎng)的薄膜與消耗的硅襯底，淀積的薄膜不消耗硅襯底。熱生長(zhǎng)的二氧化硅來(lái)自氣相氧，硅來(lái)自襯底，當(dāng)薄膜生長(zhǎng)進(jìn)入襯底時(shí)，這個(gè)過(guò)程...
