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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】熱生長(zhǎng)氧化物和CVD氧化物的本質(zhì)區(qū)別是什么？
答案：
生長(zhǎng)的薄膜與消耗的硅襯底，淀積的薄膜不消耗硅襯底。熱生長(zhǎng)的二氧化硅來(lái)自氣相氧，硅來(lái)自襯底，當(dāng)薄膜生長(zhǎng)進(jìn)入襯底時(shí)，這個(gè)過(guò)程...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】半導(dǎo)體工藝中常用的三種CVD反應(yīng)器類型
答案：
APCVD：常壓化學(xué)氣相淀積
LPCVD: 低壓化學(xué)氣相淀積 &e...
LPCVD: 低壓化學(xué)氣相淀積 &e...
名詞解釋
過(guò)刻蝕
答案：
刻蝕薄膜時(shí)，晶圓內(nèi)的刻蝕速率和薄膜厚度并不完全均勻，主刻蝕后，會(huì)有少部分的薄膜留下，移除剩余薄膜的過(guò)程稱為過(guò)刻蝕。
