問(wèn)答題簡(jiǎn)述CVD工藝的的工藝流程
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3.名詞解釋過(guò)刻蝕
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最新試題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題