多項(xiàng)選擇題
根據(jù)下圖所示的MOS管版圖，可知下列幾個(gè)寄生電容與溝道寬度W成正比的有（粉色為多晶硅層，綠色為有源區(qū)層，黑色為接觸孔層，深綠色為金屬層）（）。
A.柵與源漏區(qū)的耦合電容
B.擴(kuò)散區(qū)的底板電容
C.柵-溝道電容
D.擴(kuò)散區(qū)的側(cè)壁電容
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1.單項(xiàng)選擇題
下圖是短溝增強(qiáng)型NMOS管的一階手工分析模型的源漏電流-源漏電壓關(guān)系圖，L1、L2和L3三條虛線把晶體管的工作區(qū)劃分為三個(gè)區(qū)域（分別用I、II、III表示），它們分別對應(yīng)線性區(qū)（電阻區(qū)）、速度飽和區(qū)和飽和區(qū)。下列工作區(qū)名稱對應(yīng)關(guān)系正確的是（）。
A.I-線性區(qū)，II-飽和區(qū)，III-速度飽和區(qū)
B.I-速度飽和區(qū)，II-飽和區(qū)，III-速度飽和區(qū)
C.I-截止區(qū)，II-速度飽和區(qū)，III-飽和區(qū)
D.I-線性區(qū)，II-速度飽和區(qū)，III-飽和區(qū)
2.多項(xiàng)選擇題下面工藝參數(shù)變化會(huì)使得NMOS硅柵晶體管的閾值電壓升高的有（）。
A.多晶硅和襯底半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差的絕對值增大
B.柵極氧化層厚度變?。▎挝幻娣e的柵氧化層電容增大）
C.氧化層中的表面電荷（正電荷）減少
D.在溝道區(qū)人工注入p型雜質(zhì)離子使得單位面積的電荷密度升高
