多項(xiàng)選擇題下面工藝參數(shù)變化會(huì)使得NMOS硅柵晶體管的閾值電壓升高的有（）。
A.多晶硅和襯底半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差的絕對(duì)值增大
B.柵極氧化層厚度變薄（單位面積的柵氧化層電容增大）
C.氧化層中的表面電荷（正電荷）減少
D.在溝道區(qū)人工注入p型雜質(zhì)離子使得單位面積的電荷密度升高
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1.單項(xiàng)選擇題
下圖的版圖中NMOS管在（）邊，PMOS管在（）邊。
A.左，右
B.右，左
C.左，左
D.右，右
2.單項(xiàng)選擇題
在下面的晶體管剖面圖中依次標(biāo)出各個(gè)編號(hào)所指的部位對(duì)應(yīng)的MOS管的結(jié)構(gòu)名稱和此晶體管的類型，表述正確的是（）。
A.柵、源/漏區(qū)、源/漏區(qū)、襯底、NMOS
B.襯底、源/漏區(qū)、源/漏區(qū)、柵、PMOS
C.柵、源/漏區(qū)、源/漏區(qū)、襯底、PMOS
D.源/漏區(qū)、柵、襯底、源/漏區(qū)、NMOS
