A.死區(qū)電壓為0.1V，正向?qū)妷簽?.3V
B.死區(qū)電壓為0.3V，正向?qū)妷簽?.5V
C.死區(qū)電壓為0.5V，正向?qū)妷簽?.7V
D.死區(qū)電壓為0.7V，正向?qū)妷簽?.9V
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A.PN結(jié)面積小，適用于高頻情況
B.PN結(jié)面積大，適用于高頻情況
C.PN結(jié)面積小，適用于低頻情況
D.PN結(jié)面積大，適用于低頻情況
A.反向
B.擊穿
C.擊穿反向
D.反向擊穿
下列關(guān)于PN結(jié)伏安特性方程中，正確的是（）。?
A.A
B.B
C.C
D.D
A.26V
B.2.6V
C.26mV
D.2.6mV
A.P端電位高，N端電位低
B.N端電位高，P端電位低
C.P端與N端電位相同
D.P、N兩端電位高低不確定
最新試題
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。
?已知Nexys4開(kāi)發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz，數(shù)字鐘用來(lái)產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz，若采用計(jì)數(shù)器對(duì)100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào)，請(qǐng)問(wèn)該計(jì)數(shù)器至少需要多少位？（）
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過(guò)電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
當(dāng)VGS=0時(shí)，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
可以通過(guò)新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
?6位7段數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示模塊如圖，要求人眼看到所有數(shù)碼管同時(shí)顯示各自對(duì)應(yīng)的數(shù)字，控制數(shù)碼管位選信號(hào)的動(dòng)態(tài)掃描時(shí)鐘信號(hào)頻率約為多少？（）