A.PN結(jié)面積小，適用于高頻情況
B.PN結(jié)面積大，適用于高頻情況
C.PN結(jié)面積小，適用于低頻情況
D.PN結(jié)面積大，適用于低頻情況
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A.反向
B.擊穿
C.擊穿反向
D.反向擊穿
下列關(guān)于PN結(jié)伏安特性方程中，正確的是（）。?
A.A
B.B
C.C
D.D
A.26V
B.2.6V
C.26mV
D.2.6mV
A.P端電位高，N端電位低
B.N端電位高，P端電位低
C.P端與N端電位相同
D.P、N兩端電位高低不確定
A.光敏
B.熱敏
C.摻雜
D.導(dǎo)電
最新試題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點向漏極移動。
以下哪個MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級？?（）
?MOSFET源極漏極間的長度L越大，溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
用作電壓放大器時，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會（），漏極交流電壓將會（），增益將會（）。
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象？（）
?數(shù)字頻率計設(shè)計中的測頻計數(shù)模塊共有多少個狀態(tài)？（）