最新試題
敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}
描述電子回旋共振（ECR）。
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定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
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解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？
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給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
描述RF濺射系統(tǒng)。
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光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么？
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解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的？掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問題？
題型：?jiǎn)柎痤}
光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？
題型：?jiǎn)柎痤}
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
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