問答題

【簡答題】解釋曝光后烘烤的目的。PEB(曝光后烘烤)烘烤過度和不足會產(chǎn)生什么問題?

答案:

目的:降低駐波效應(yīng)
不足:無法消除駐波效應(yīng),影響分辨率。
過度:造成光刻膠的聚合作用,影響顯影過程,導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移失敗。

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【簡答題】軟烘烤的目的是什么?列出烘烤過度和不足會產(chǎn)生什么后果?

答案: 目的:將光刻膠從液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài),增強(qiáng)光刻膠在晶體表面的附著力。
使光刻膠含有5%-20%的殘余溶劑。
問答題

【簡答題】簡述光刻工藝的8道工序

答案: 八道工序?yàn)椋壕A清洗、預(yù)烘培和底漆涂敷、光刻膠自旋涂敷、軟烘烤、對準(zhǔn)和曝光、曝光后烘烤,以及顯影、硬烘烤和圖形檢測
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