單項(xiàng)選擇題
如圖所示,Q1,Q2為相同二極管,I=?()
A.10mA
B.20mA
C.5mA
D.1mA
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1.單項(xiàng)選擇題
右圖所示之N信道JFET電路,已知JFET之IDSS=4mA,VP=-4V,使此JFET工作于飽和區(qū)(SaturationRegion),且其汲極電流ID=1mA,則RS應(yīng)為:()
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
E.5kΩ
2.單項(xiàng)選擇題下列的放大電路中,那一個(gè)不是屬于場效應(yīng)晶體管的放大電路組態(tài)?()
A.共集極放大電路
B.共源極放大電路
C.共汲極放大電路
D.共閘極放大電路
3.單項(xiàng)選擇題以TTL推動(dòng)CMOS邏輯閘時(shí),最簡單的界面連接技術(shù)是加一個(gè)無源提升(pull-up)()
A.電感器
B.電容器
C.電阻器
D.PN二極管
4.單項(xiàng)選擇題有關(guān)FET的敘述,與晶體管相較,下列何者正確?()
A.雜音較多
B.輸入阻抗較高
C.高頻響應(yīng)較好
D.增益帶寬乘積通常比晶體管為佳
5.單項(xiàng)選擇題
右圖之電路,若|IDSS|=4mA,VP=4V,則VGS為()
A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
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如何判斷一個(gè)放大電路中的反饋是負(fù)反饋?()
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