單項選擇題
右圖之電路,若|IDSS|=4mA,VP=4V,則VGS為()
A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
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1.單項選擇題
如圖之電路,其參數(shù)值gm=2mA/V,rd=40k,若RD=20k,則電壓增益Av為()
A.-57
B.-38
C.-26.6
D.-20.5
2.單項選擇題FET共泄極放大器的電壓增益()
A.甚高
B.約等于μ
C.等于1
D.略小于1
3.單項選擇題TO-3包裝之功率晶體管,其外殼為()
A.集極
B.射極
C.基底(substrate)
D.基極
4.單項選擇題典型金氧半晶體管(MOSFET)的閘極輸入端電阻值約為多少奧姆?()
A.108
B.109
C.1010
D.1014
5.單項選擇題輸入電阻最高的放大器是()
A.MOSFET源極隨耦器
B.射極耦合器
C.達(dá)靈頓射極耦合器
D.晶體管靴帶式放大器
最新試題
74LS163的計數(shù)功能是如何實現(xiàn)的?()
題型:單項選擇題
正弦波振蕩器主要將哪種電源轉(zhuǎn)換為特定頻率和振幅的正弦交變電壓(電流)?()
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