單項選擇題有關(guān)FET的敘述,與晶體管相較,下列何者正確?()
A.雜音較多
B.輸入阻抗較高
C.高頻響應(yīng)較好
D.增益帶寬乘積通常比晶體管為佳
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1.單項選擇題
右圖之電路,若|IDSS|=4mA,VP=4V,則VGS為()
A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
2.單項選擇題
如圖之電路,其參數(shù)值gm=2mA/V,rd=40k,若RD=20k,則電壓增益Av為()
A.-57
B.-38
C.-26.6
D.-20.5
3.單項選擇題FET共泄極放大器的電壓增益()
A.甚高
B.約等于μ
C.等于1
D.略小于1
4.單項選擇題TO-3包裝之功率晶體管,其外殼為()
A.集極
B.射極
C.基底(substrate)
D.基極
5.單項選擇題典型金氧半晶體管(MOSFET)的閘極輸入端電阻值約為多少奧姆?()
A.108
B.109
C.1010
D.1014
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關(guān)于RC正弦波振蕩器的說法,正確的是()
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