硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

CMP的設備構成包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現廢品？（）

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）