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問答題

【簡答題】解釋HDPCVD中同步沉積和刻蝕。典型深寬比的值是什么？

答案：它是采用材料填充高深寬比的間隙并且無空洞形成的基礎(chǔ)。 3:1

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【簡答題】描述硅片偏置對HDPCVD方向性的影響。

答案：使HDPCVD能夠淀積得到的膜可以填充深寬比為3:1到4:1甚至更高的間隙。

【簡答題】解釋HDPCVD，它在IC中有什么優(yōu)勢？

答案：高密度等離子體化學(xué)氣相淀積；HDPCVD在IC中的優(yōu)勢是有良好的間隙能力，并可以在300-400℃較低的淀積溫度下，制備...