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問答題
【簡(jiǎn)答題】描述硅片偏置對(duì)HDPCVD方向性的影響。
答案：
使HDPCVD能夠淀積得到的膜可以填充深寬比為3:1到4:1甚至更高的間隙。
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問答題
【簡(jiǎn)答題】解釋HDPCVD，它在IC中有什么優(yōu)勢(shì)？
答案：
高密度等離子體化學(xué)氣相淀積；HDPCVD在IC中的優(yōu)勢(shì)是有良好的間隙能力，并可以在300-400℃較低的淀積溫度下，制備...
問答題
【簡(jiǎn)答題】CVD過程中采用等離子體的優(yōu)點(diǎn)有哪些？
答案：
1.更高的工藝溫度（250-450℃）；
2.對(duì)高的深寬比間隙有好的填充能力（用高密度等離子體）；
...
2.對(duì)高的深寬比間隙有好的填充能力（用高密度等離子體）；
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