問答題

【簡答題】CVD過程中采用等離子體的優(yōu)點有哪些？

答案： 1.更高的工藝溫度（250-450℃）；
2.對高的深寬比間隙有好的填充能力（用高密度等離子體）；
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問答題

【簡答題】沉積多晶硅柵材料采用什么CVD工具，列舉多晶硅作為柵電極的6個原因。
答案： 采用LPCVD工具；
1.通過摻雜可得到特定的電阻；
2.和二氧化硅優(yōu)良的界面特性；
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問答題

【簡答題】解釋APCVD，使用APCVD SiO2的主要問題是什么，是用硅烷作為反應(yīng)源嗎？
答案： 常壓化學氣相淀積；傳統(tǒng)上這些膜通常作為層間介質(zhì)（ILD），保護覆蓋物或者表面平坦化；不是使用硅烷作為反應(yīng)源。
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