問(wèn)答題CVD過(guò)程中采用等離子體的優(yōu)點(diǎn)有哪些？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題沉積多晶硅柵材料采用什么CVD工具，列舉多晶硅作為柵電極的6個(gè)原因。
3.問(wèn)答題列出沉積的5種主要技術(shù)。
4.問(wèn)答題列舉并描述薄膜生長(zhǎng)的三個(gè)階段。
5.問(wèn)答題RTP是熱壁系統(tǒng)還是冷壁系統(tǒng)？
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題