問答題

【簡(jiǎn)答題】舉出氧化工藝中摻氯的兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)。

答案： 優(yōu)點(diǎn)：可以中和界面處的電荷堆積；能使氧化速率提高10%到15%。
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問答題

【簡(jiǎn)答題】列出Si/Si02 界面處的4種氧化物電荷。
答案：

正的電荷。
負(fù)的電荷。
界面陷阱電荷。
可移動(dòng)氧化物電荷。
問答題

【簡(jiǎn)答題】如果熱生長(zhǎng)氧化層厚度為2000A，那么Si消耗多少？
答案： 920A（每生長(zhǎng)1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）
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