問答題

【簡答題】離子注入后進(jìn)行退火工藝的原因是什么？

答案：可使裸露的硅片表面生長一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質(zhì)向硅中移動；可使注入引入的損傷得到修復(fù)；使雜質(zhì)原子與硅原子間的共價...

你可能感興趣的試題

【簡答題】刻蝕工藝的目的是什么，這個區(qū)中最常用的設(shè)備是什么？

答案：

目的：硅片上沒有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。
常用設(shè)備：等離子刻蝕機(jī)，等離子體去膠機(jī)和濕法清洗設(shè)備。

【簡答題】簡述有光刻膠覆蓋硅片的三個生產(chǎn)區(qū)域。

答案：

光刻區(qū)，刻蝕區(qū)和離子注入?yún)^(qū)