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問答題列出提高微芯片制造技術(shù)相關(guān)的三個(gè)重要趨勢(shì)，簡(jiǎn)要描述每個(gè)趨勢(shì)。

1.問答題什么是硅片，什么是襯底，什么是芯片？

硅片是指由單晶硅切成的薄片；
芯片也稱為管芯（單數(shù)和復(fù)數(shù)芯片或集成電路）；
硅圓片通常稱為襯底。

2.填空題為了避免短溝道效應(yīng)，可采用按比例縮小法則，當(dāng)MOSFET的溝道長(zhǎng)度縮短一半時(shí)，其溝道寬度應(yīng)（），柵氧化層厚度應(yīng)（），源、漏區(qū)結(jié)深應(yīng)（），襯底摻雜濃度應(yīng)（）。

3.填空題在長(zhǎng)溝道MOSFET中，漏極電流的飽和是由于（），而在短溝道MOSFET中，漏極電流的飽和則是由于（）。

4.填空題閾電壓V的短溝道效應(yīng)是指，當(dāng)溝道長(zhǎng)度縮短時(shí)，V變（）。

5.填空題為提高跨導(dǎo)g的截止角頻率ω，應(yīng)當(dāng)（）μ，（）L，（）V。