芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。