填空題在長(zhǎng)溝道MOSFET中,漏極電流的飽和是由于(),而在短溝道MOSFET中,漏極電流的飽和則是由于()。
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如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用()。
題型:多項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型:判斷題