互連工藝中AL的制備可選用（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。