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多項(xiàng)選擇題

擴(kuò)散系數(shù)是表征擴(kuò)散快慢的參數(shù)，它相當(dāng)于單位濃度梯度時的擴(kuò)散通量，所以它（）

A.單位為m²/s
B.有單位
C.無單位
D.單位為m/s

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多項(xiàng)選擇題

?P在兩歩擴(kuò)散工藝中，第二步再分布的同時又進(jìn)行了熱氧化（kp=10），這會給再分布擴(kuò)散帶來哪些影響？（）

A.P擴(kuò)散速度加快
B.擴(kuò)入Si的P總量下降
C.在SiO₂/Si界面Si一側(cè)的P耗竭（是指低于SiO₂一側(cè)）
D.在SiO₂/Si界面Si一側(cè)的P堆積（是指高于SiO₂一側(cè)）

多項(xiàng)選擇題

?硅恒定源擴(kuò)散，在擴(kuò)散溫度硅的固溶度為N_s，在進(jìn)行了40min擴(kuò)散后，測得結(jié)深是1.5μm，若要獲得2.0μm的結(jié)深，在原工藝基礎(chǔ)上應(yīng)再擴(kuò)散多少分鐘？硅表面雜質(zhì)濃度是多少？（）

A.雜質(zhì)表面濃度< N_s
B.雜質(zhì)表面濃度=N_s
C.應(yīng)再擴(kuò)散71min
D.表面雜質(zhì)濃度等于該工藝溫度時硅的固溶度