多項選擇題?P在兩歩擴(kuò)散工藝中，第二步再分布的同時又進(jìn)行了熱氧化（kp=10），這會給再分布擴(kuò)散帶來哪些影響？（）
A.P擴(kuò)散速度加快
B.擴(kuò)入Si的P總量下降
C.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P耗竭（是指低于SiO2一側(cè)）
D.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P堆積（是指高于SiO2一側(cè)）
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1.多項選擇題?硅恒定源擴(kuò)散，在擴(kuò)散溫度硅的固溶度為Ns，在進(jìn)行了40min擴(kuò)散后，測得結(jié)深是1.5μm，若要獲得2.0μm的結(jié)深，在原工藝基礎(chǔ)上應(yīng)再擴(kuò)散多少分鐘？硅表面雜質(zhì)濃度是多少？（）
A.雜質(zhì)表面濃度< Ns
B.雜質(zhì)表面濃度=Ns
C.應(yīng)再擴(kuò)散71min
D.表面雜質(zhì)濃度等于該工藝溫度時硅的固溶度
2.單項選擇題多晶硅薄膜通常采取哪種方法制備？（）
A.磁控濺射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD
3.單項選擇題?基于LSS理論，離子注入受到靶原子核與電子的阻止，（）。
A.核阻止和電子阻止是獨立的
B.核阻止本領(lǐng)>電子阻止本領(lǐng)
C.核阻止本領(lǐng)< 電子阻止本領(lǐng)
D.核阻止和電子阻止與入射離子能量無關(guān)
4.單項選擇題?CVD可分為低溫工藝、中溫工藝、高溫工藝，不同溫度制備的同種薄膜（如SiO2）的密度（）
A.溫度升高，略有下降
B.與溫度無關(guān)
C.溫度升高，略有增加
D.都相同
5.單項選擇題
看圖判斷下列描述是否正確？（）
A.是有限源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)
B.是有限源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
C.是恒定源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
D.是恒定源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)