A.雜質(zhì)表面濃度< NsB.雜質(zhì)表面濃度=NsC.應(yīng)再擴(kuò)散71minD.表面雜質(zhì)濃度等于該工藝溫度時(shí)硅的固溶度
A.磁控濺射B.VPEC.LPCVDD.APCVD
A.核阻止和電子阻止是獨(dú)立的B.核阻止本領(lǐng)>電子阻止本領(lǐng)C.核阻止本領(lǐng)< 電子阻止本領(lǐng)D.核阻止和電子阻止與入射離子能量無關(guān)