摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。