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在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中,哪種外延方法能生長雜質(zhì)陡變分布的薄外延層()
A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
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如果外延速率偏低,只要增大外延氣體中硅源(如SiCl
4
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錯誤
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填空題
拉單晶的干鍋污染主要是由于坩堝材料分解出的()造成。
答案:
氧
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