填空題拉單晶的干鍋污染主要是由于坩堝材料分解出的（）造成。
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1.單項選擇題磷在硅熔體與晶體中的分凝系數(shù)約為0.35，這使得液相摻雜拉制的摻磷硅錠的電阻率（）
A.軸向均勻
B.軸向遞減
C.軸向遞増
D.徑向遞減
3.多項選擇題關(guān)于拉單晶時進行的縮頸步驟，下面的說法那種正確（）
A.可以多次縮頸
B.為了能拉出與籽晶相同的硅錠
C.為了終止籽晶中的線缺陷向晶錠的延伸
D.為了終止與籽晶結(jié)合處的缺陷向晶錠的延伸
最新試題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
光刻工藝的特點包括（）。
題型：多項選擇題
鳥嘴效應造成的不良影響有（）。
題型：多項選擇題
消除鳥嘴效應的方法有（）。
題型：多項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項選擇題