判斷題如果外延速率偏低，只要增大外延氣體中硅源（如SiCl4）濃度，硅的氣相外延速率就會增加。
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2.單項(xiàng)選擇題磷在硅熔體與晶體中的分凝系數(shù)約為0.35，這使得液相摻雜拉制的摻磷硅錠的電阻率（）
A.軸向均勻
B.軸向遞減
C.軸向遞増
D.徑向遞減
4.多項(xiàng)選擇題關(guān)于拉單晶時(shí)進(jìn)行的縮頸步驟，下面的說法那種正確（）
A.可以多次縮頸
B.為了能拉出與籽晶相同的硅錠
C.為了終止籽晶中的線缺陷向晶錠的延伸
D.為了終止與籽晶結(jié)合處的缺陷向晶錠的延伸
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