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判斷題

如果外延速率偏低，只要增大外延氣體中硅源（如SiCl₄）濃度，硅的氣相外延速率就會(huì)增加。

答案：錯(cuò)誤

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拉單晶的干鍋污染主要是由于坩堝材料分解出的（）造成。

答案：氧

單項(xiàng)選擇題

磷在硅熔體與晶體中的分凝系數(shù)約為0.35，這使得液相摻雜拉制的摻磷硅錠的電阻率（）

A.軸向均勻
B.軸向遞減
C.軸向遞増
D.徑向遞減

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