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填空題
閂鎖效應(yīng)（可控硅效應(yīng)），是CMOS電路遇到的（）問題。在CMOS電路正常工作時(shí)，由于（）的突然被激發(fā)，器件電流突然（），甚至很快因Al（），使電路失效。
答案：
破壞性；寄生晶體管；大幅上升；連線熔斷
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填空題
開啟電壓（閾值電壓）的高低與柵下半導(dǎo)體中的（），柵氧化層的（）、（）、（）、（）等有關(guān)。載流子濃度越高，開啟電壓的絕對(duì)值（）；柵氧化層厚度越厚，開啟電壓的絕對(duì)值（）。
答案：
載流子濃度；厚度；固定電荷密度；可動(dòng)電荷密度；界面態(tài)密度；越高；越高
填空題
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開啟電壓指的是：（）。所以，NMOS管的開啟電壓為（），PMOS管的開啟電壓為（）。
答案：
MOS管柵下半導(dǎo)體表面開始強(qiáng)反型時(shí)的柵極電壓；正；負(fù)
