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開(kāi)啟電壓(閾值電壓)的高低與柵下半導(dǎo)體中的(),柵氧化層的()、()、()、()等有關(guān)。載流子濃度越高,開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值();柵氧化層厚度越厚,開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值()。
答案:
載流子濃度;厚度;固定電荷密度;可動(dòng)電荷密度;界面態(tài)密度;越高;越高
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填空題
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)啟電壓指的是:()。所以,NMOS管的開(kāi)啟電壓為(),PMOS管的開(kāi)啟電壓為()。
答案:
MOS管柵下半導(dǎo)體表面開(kāi)始強(qiáng)反型時(shí)的柵極電壓;正;負(fù)
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填空題
光刻工藝的分辨率決定于:()和曝光、顯影、刻蝕條件的正確控制。正膠的分辨率()于負(fù)膠的分辨率;光刻膠越薄,分辨率越()。
答案:
光刻機(jī)的分辨率、光刻膠的種類、光刻膠的厚度、光刻膠的對(duì)比度;高;高
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