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多項(xiàng)選擇題

以下哪幾項(xiàng)是集成電路制作工藝的（）。

A.SOP
B.BCD
C.BMOS
D.CMOS
E.BiMOS
F.BCG

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多項(xiàng)選擇題

集成電路進(jìn)入納米尺寸時(shí)代后，將面臨以下主要挑戰(zhàn)：（）。

A.漏電流增大導(dǎo)致總功耗增加
B.柵極氧化膜厚度接近物理極限
C.電路規(guī)模增大導(dǎo)致動(dòng)態(tài)功耗增加
D.配線延遲不能相應(yīng)降低從而影響性能

為了進(jìn)行時(shí)序驗(yàn)證、功耗驗(yàn)證、信號(hào)完整性驗(yàn)證及電子遷移性驗(yàn)證，需要從版圖結(jié)果中提取（）。

答案：布線寄生參數(shù)

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