判斷題

在SiO2/Si刻蝕過程中等離子體對(duì)硅的刻蝕速率必須控制在非常低的程度,否則SiO2被清除的同時(shí)硅也大量被侵蝕。

答案: 正確
微信掃碼免費(fèi)搜題