問(wèn)答題何謂氧化增強(qiáng)擴(kuò)散，發(fā)散區(qū)推進(jìn)效應(yīng)？產(chǎn)生機(jī)理是什么？
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最新試題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列對(duì)焊接可靠性無(wú)影響的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整，而BGA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說(shuō)法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題