多項選擇題
關于CMOS反相器，以下描述中哪些是正確的（）。
A.A
B.B
C.C
D.D
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1.單項選擇題MOSFET的溫度特性體現為：（）。
A.溫度升高，載流子遷移率升高，跨導升高，閥值電壓升高
B.溫度升高，載流子遷移率升高，跨導下降，閥值電壓下降
C.溫度升高，載流子遷移率下降，跨導下降，閥值電壓升高
D.溫度升高，載流子遷移率下降，跨導下降，閥值電壓下降
2.多項選擇題以下哪幾項是集成電路制作工藝的（）。
A.SOP
B.BCD
C.BMOS
D.CMOS
E.BiMOS
F.BCG
3.多項選擇題集成電路進入納米尺寸時代后，將面臨以下主要挑戰(zhàn)：（）。
A.漏電流增大導致總功耗增加
B.柵極氧化膜厚度接近物理極限
C.電路規(guī)模增大導致動態(tài)功耗增加
D.配線延遲不能相應降低從而影響性能
最新試題
引線鍵合的常用技術有（）。
題型：多項選擇題
常規(guī)芯片封裝生產過程包括粘裝和引線鍵合兩個工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應用的關鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項選擇題
鍵合工藝失效，，鍵合點尾絲不一致，可能產生的原因有（）。
題型：多項選擇題
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題型：多項選擇題
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題型：單項選擇題
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題型：多項選擇題
下面不屬于QFP封裝改進品質的是（）。
題型：單項選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
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題型：判斷題