MOS器件存在哪些二階效應？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

集成電路電阻可以通過（）產生。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。