在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

MOS器件存在哪些二階效應？

什么是MOS器件的體效應？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

版圖設計的基本前提是什么？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

集成電容主要有幾種結構？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。