說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？