單項選擇題

多晶硅薄膜通常采取哪種方法制備？（）

A.磁控濺射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD

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單項選擇題
?基于LSS理論，離子注入受到靶原子核與電子的阻止，（）。
A.核阻止和電子阻止是獨立的
B.核阻止本領>電子阻止本領
C.核阻止本領< 電子阻止本領
D.核阻止和電子阻止與入射離子能量無關
單項選擇題
?CVD可分為低溫工藝、中溫工藝、高溫工藝，不同溫度制備的同種薄膜（如SiO₂）的密度（）
A.溫度升高，略有下降
B.與溫度無關
C.溫度升高，略有增加
D.都相同