刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）

回態(tài)源擴散的雜質(zhì)源有（）

通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）

在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）

高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進光刻機上，那么i線的UV光波長為（）

下列哪些是進行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）