利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）

高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）

傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）

最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）