試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)（）和（）。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱(chēng)為（）。