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問答題

【計算題】一塊電阻率為3Ω·cm的N-Si樣品，空穴的壽命為τ_p=5μs，在其平面型的表面處有穩(wěn)定的空穴注入，過甚空穴濃度為Δp（0）=10¹⁴cm^-3，計算從這個表面擴散進入半導體內部的空穴電流密度。在離表面多遠處過?？昭舛人p到10¹²cm^-3。

答案：

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【簡答題】示意畫出P型半導體在光照（小注入）前后的能帶圖，并標出原來的費米能級和光照下的準費米能級。

答案：

【計算題】
施主濃度N_D=10¹⁶cm^-3的N-Si中，光注入非平衡載流子濃度Δn=Δp=10¹⁴cm^-3，計算無光照和有光照時的電導率。已知

答案：

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