如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

CMP的設備構成包括（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

光刻工藝的特點包括（）。