A.隨頻率增加、晶片尺寸減小而減小
B.隨頻率或晶片尺寸減小而增大
C.隨頻率或晶片尺寸減小而減小
D.頻率增加、晶片尺寸減小而增大
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A.半擴(kuò)散角用第一零輻射角表示
B.半擴(kuò)散角用以表征波束的指向性
C.半擴(kuò)散角大小取決于晶片尺寸和聲波波長(zhǎng)
D.超聲探頭的半擴(kuò)散角越小越好
A.聲束邊緣聲壓最大
B.聲束軸線上聲壓最大
C.聲束邊緣和中心軸線聲壓一樣
D.聲壓與聲束寬度成正比
A.27mm
B.21mm
C.38mm
D.以上都不對(duì)
A.近場(chǎng)長(zhǎng)度
B.未擴(kuò)散區(qū)
C.主聲束
D.超聲場(chǎng)
A.與頻率成反比
B.與頻率成正比
C.與頻率平方成正比
D.與頻率平方成反比
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最新試題
當(dāng)調(diào)節(jié)檢測(cè)靈敏度用的試塊與工件()、曲率半徑不同或材質(zhì)衰減不同時(shí),需要進(jìn)行傳輸修正。
底波計(jì)算法是利用()與平底孔反射回波相差的分貝(dB)值進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)。
缺陷的定量包括缺陷大小和數(shù)量的確定,而缺陷的大小可由缺陷的面積或()來(lái)表征。
()是指在確定的聲程范圍內(nèi)檢測(cè)出規(guī)定大小缺陷的能力,一般根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)要求或有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)來(lái)確定。
底波高度法不用試塊,可以直接利用底波調(diào)節(jié)靈敏度和比較缺陷的相對(duì)大小,操作方便,適用于()的工件。
實(shí)際檢測(cè)中,為了提高掃查速度而又不引起漏檢,常將檢測(cè)靈敏度適當(dāng)提高,這種在檢測(cè)靈敏度基礎(chǔ)上適當(dāng)提高后的靈敏度叫做()。
用折射角β的斜探頭進(jìn)行檢測(cè),儀器顯示缺陷的聲程為S,則缺陷的水平距離l為()。
靈敏度采用試塊調(diào)節(jié)法,下面說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
超聲檢測(cè)對(duì)缺陷定位時(shí),()不是影響缺陷定位的主要因素。
移動(dòng)探頭找到缺陷最大回波,沿缺陷方向左右移動(dòng)探頭,缺陷回波高度降低一半時(shí),探頭中心軸線所對(duì)應(yīng)的位置即為指示長(zhǎng)度的端點(diǎn),兩端點(diǎn)之間的直線長(zhǎng)度即為缺陷指示長(zhǎng)度。這種測(cè)長(zhǎng)方法稱為()。