硅片拋光在原理上不可分為（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

PN結(jié)的基本特性是（）