芯片粘接的工藝過程包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）