問答題

【簡答題】離子注入后的RTA流程

答案：

1、晶圓進(jìn)入
2、溫度急升
3、溫度趨穩(wěn)
4、退火
5、晶圓冷卻
6、晶圓退出
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問答題

【簡答題】氮化硅在IC芯片上的用途
答案： 1、硅局部氧化形成過程中，作為阻擋氧氣擴(kuò)散的遮蔽層。
2、作為化學(xué)拋光的遮擋層。
3、用于形成側(cè)壁空...
問答題

【簡答題】影響擴(kuò)散工藝中雜質(zhì)分布的因素
答案：

1、時(shí)間與溫度，恒定表面源主要是時(shí)間。
2、硅晶體中存在其他類型的點(diǎn)缺陷
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