單項(xiàng)選擇題CZ法拉不出高阻單晶硅錠的主要原因是（）

A.氣相雜質(zhì)融入熔體再進(jìn)入了硅錠
B.坩堝材料分解出的氧會(huì)進(jìn)入硅錠
C.多晶硅原料純度不夠高
D.干鍋清洗不干凈造成


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1.多項(xiàng)選擇題IC采用鋁互連系統(tǒng)時(shí)，下列哪種方法可以避免Al-Si的尖楔現(xiàn)象（）

A.在淀積的鋁膜中摻入約1%Si
B.在淀積的鋁膜中摻入約1%Cu
C.在鋁膜表面覆蓋Si3N4
D.在淀積鋁之前先淀積一薄層TiN薄膜

3.多項(xiàng)選擇題關(guān)于光學(xué)光刻，下列哪種方法可以獲得高分辨率（）

A.光源為紫光
B.使用移相掩膜技術(shù)制備的光刻版
C.采取浸入式光刻方法
D.駐波效應(yīng)對分辨率無影響

4.多項(xiàng)選擇題濺射與蒸鍍比較，下列那種說法正確（）

A.蒸鍍工藝的普適性更好
B.濺射工藝的普適性更好
C.濺射工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好
D.蒸鍍工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好

5.多項(xiàng)選擇題從兩電極面積判斷射頻濺射時(shí)，靶放在那個(gè)電極上、襯底放在那個(gè)電極上（）

A.襯底放在面積大的電極上
B.靶放在面積大的電極上
C.襯底放在面積小的電極上
D.靶放在面積小的電極上