A.氣相雜質(zhì)融入熔體再進(jìn)入了硅錠B.坩堝材料分解出的氧會進(jìn)入硅錠C.多晶硅原料純度不夠高D.干鍋清洗不干凈造成
A.在淀積的鋁膜中摻入約1%SiB.在淀積的鋁膜中摻入約1%CuC.在鋁膜表面覆蓋Si3N4D.在淀積鋁之前先淀積一薄層TiN薄膜