?關(guān)于一對串聯(lián)反相器中的寄生電容,電容的大小隨著工藝尺寸的縮小而增加的是()。
A.扇出的柵電容CG3和CG4B.連線電容CWC.擴散電容CDB1和CDB2D.柵漏電容CGD12
A.不確定B.減小C.增大D.不變
A.開關(guān)閾值取決于PMOS和NMOS管相對驅(qū)動強度的比B.一般希望開關(guān)閾值處于電壓擺幅的中點C.提高NMOS的驅(qū)動強度將使開關(guān)閾值趨近于GNDD.增加PMOS或NMOS的寬度使開關(guān)閾值分別向電線接地端或電源電壓移動